작년부터 올 상반기 3 나노 양산을 약속한 삼성전자가 계획대로 진행 중이라는 소식입니다. 자세한 내용을 알아보도록 하겠습니다.
삼성전자가 약속대로 올 상반기 중 3 나노미터(nm, 10억 분의 1미터) 공정으로 파운드리 (반도체 위탁생산) 양산(대량 생산)을 시작할 수 있을지 관심입니다. 핵심기술인 GAA(Gate-All-Around)를 3 나노에 적용해 수율을 맞출 수 있을지가 관건입니다.
삼성전자가 3 나노 공정의 양산을 시점을 공개한 것은 작년 10월입니다.
당시 열린 삼성파운드리포럼에서 최시영 파운드리 사어 부장은 2022년 상반기까지 세계 최초로 3 나노 양산을 시작하겠다로 합니다. 회사도 2022년 상반기 GAA기술을 3 나노에 도입하겠다고 하였으며 올 4월 열린 컨퍼런스콜에서도 이 계획을 다시 확인했습니다.
1세대 GAA공정 품질 검증 완료해 2분기 업계 최초 양산을 통해 경쟁사 대비 기술 위위를 확보할 계획이라 합니다.
파운드리 업계는 누가 더 미세한 공정으로 반도체를 생산하느냐를 두고 치열한 경쟁을 벌이고 있으며 공전이 메 세할수록 반도체 성능을 결정짓는 트랜지스터가 더 많이 들어갈 수 있어서이며 전 세계에서 5 나노 굵기로 반도체 회로를 새길 수 있는 기술을 가진 곳은 TSMC와 삼성전자 정도입니다.
삼성전자의 현재 기술은 5나노에서 4 나노를 넘어가는 수준입니다.
5 나노 공정은 성숙 수율 단계로 접어들었고 4 나노 공정의 경웅 초기 수율 램프업(양산 전 생살량 증대)은 다소 지연된 면이 있었으나 현재는 예상된 수율 향상 곡선 내로 진입한 상태라고 합니다.
3 나노는 미래를 위해 최첨단 기술에 투자하는 선단 공정입니다.
선단 공정을 위한 핵심 기술이 GAA입니다. GAA는 트랜지스터가 흐르는 채털 4면을 게이트가 둘러싸고 있는 차세대 트랜지스터 구조입니다.
삼성전자는 2018년 GAA를 3 나노 공정에 도입하겠다는 계획을 공개했으며 당시 삼성전자는 3 나노 공정의 성능 검증을 마치고 기술 완성도를 높여가는 단계였습니다 첨단 기술을 실제 제품에 적용하고 양산하는 데만 4년가량 걸린 것입니다.
업계가 삼성전가의 3 나노 공정 일정에 주목하는 이유는 파운드리 업계 1위 TSMC와의 기술 경쟁 때문입니다.
TSMC는 올하 바닉에 3 나노 공정을 도입하겠다는 계획입니다.
계획대로라면 전 세계 파운드리 시장의 절반 이상을 차지하고 있는 TSMC보다 삼성전자가 먼전 3 나노 공정 양산에 성공하게 되는 것입니다.
삼성전자가 파운드리 주도권을 가져오게 되면 그 파급력은 상상을 뛰어넘습니다.
TSMC의 시가총액은 566조 원 수준으로, 삼성전자(348조를 뛰어넘고 있으며 삼성전자는 지난달 파운드리를 미래 먹거리로 지목하며 삼성 파운드리가 세계 1위로 성장할 경우 삼성전자보다 큰 기업이 국내에 추가로 생기는 것과 비슷한 경제적 효과라고 설명됩니다.
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